买卖IC网 >> 产品目录 >> SI5402DC-T2 MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

SI5402DC-T2

库存数量:可订货
制造商:Vishay/Siliconix
描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
RoHS:
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参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 6.7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 35 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 1206-8 ChipFET
封装 Tube
相关资料
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  • SI5402DC-T2 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 2.098 2.098
    10 1.656 16.56
    100 1.49 149
    250 1.298 324.5